Podczas seminarium przedstawione zostaną wyniki prac konsorcjum PolHEMT (Instytut Technologii Elektronowej, Instytut Radioelektroniki PW, Ammono S. A., Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Instytut Fizyki PAN, TOP-GAN Sp. z o.o.) nad tranzystorami polowymi AlGaN/GaN dla potrzeb radiolokacji. Innowacyjność podejścia, w skali światowej, polega na wykorzystaniu do tego celu struktur półprzewodnikowych AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z monokrystalicznego GaN.

Azotek galu (GaN) i związki pokrewne (AlGaN, InGaN, InAlN) uznawane są za najbardziej atrakcyjne i obiecujące materiały półprzewodnikowe. Ich bardzo intensywne badania rozpoczęto już ponad 30 lat temu, ale prawdziwy przełom uzyskano nie więcej niż 15 lat temu demonstrując pierwsze niebieskie diody elektroluminescencyjne i laserowe, a niewiele później pierwsze tranzystory mikrofalowe typu HEMT (High Electron Mobility Transistor). Kolejne lata prac badawczych ugruntowały powszechne dziś przekonanie, że GaN reprezentuje nieomal idealny materiał bazowy dla wytwarzania mikrofalowych przyrządów wysokiej częstotliwości i dużej mocy oraz układów MMIC (od pasma S do V).

Wykład organizowany jest w ramach cyklu spotkań CEZAMAT, które odbywają się co miesiąc. Celem tej inicjatywy jest prezentowanie ciekawych osiągnięć naukowych oraz planów projektów badań i wdrożeń.

Szczegóły wydarzenia

Tytuł: Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN
Prelegent: prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska z Instytutu Technologii Elektronowej (Zakład Mikro- i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych)
Data: 5 czerwca 2014, czwartek, godz. 16.00
Miejsce: Gmach Główny PW, sala nr 144 – audytorium im. Edwarda Michałowskiego.