Tematem przewodnim spotkania były lasery i zastosowanie technologii laserowych w różnych dziedzinach nauki. Podczas wydarzenia odbyły się następujące prelekcje:

1. Lasery azotkowe – nowe konstrukcje nowe aplikacje - prof. dr hab. Piotr Perlin (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)

Podczas prezentacji omówione zostały prace nad rozwojem matryc laserowych wysokiej mocy i diod superluminescencyjnych jako elementów składowych przyszłych systemów optoelektroniki użytkowej. Wspomniano też o pracach nad rozwojem nowych technik projekcyjnych, oświetleniowych i szansach niebieskich laserów w telekomunikacji opartej o światłowody plastikowe. W okresie ostatnich 15 lat diody laserowe bazujące na wykorzystaniu półprzewodników azotkowych GaN/AlGaN/InGaN używane są w nowych, bardziej wymagających aplikacjach, takich jak: projekcja barwnych obrazów, laserowe źródła światła białego i telekomunikacja światłowodowa i podwodna.

2. Nowa klasa kryształów GaN do zastosowań w optoelektronice i elektronice dużej mocy - doc. dr hab. Izabella Grzegory (Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk)

Podczas wystąpienia omówione zostały najnowsze metody otrzymywania krzyształów GaN opracowane w IWC PAN. W ostatnim czasie udało się połączyć zalety metody niskotemperaturowej epitaksji z fazy gazowej HVPE oraz metody amonotermalnej. Dzięki temu uzyskano kryształy GaN o najwyższej jakości strukturalnej i najwyższej czystości. Struktury GaN-AlN-InN są obecnie, drugim po krzemie, najczęściej wykorzystywanym materiałem półprzewodnikowym. Stosowane są m.in. w diodach LED i tranzystorach.

3. Zasosowanie technologii laserowych w oczyszczaniu dzieł sztuki oraz modyfikacji powierzchni - prof. dr hab. Jan Marczak (Zakład Zastosowania Laserów Instytutu Optoelektroniki Wojskowej Akademii Technicznej)

W referacie omówiono zastosowanie technologii laserowej w procesie usuwaniu nawarstwień z powierzchni dzieł sztuki i obiektów zabytkowych w architekturze. Przedstawione również zostały zalety i wady wykorzystania impulsowego promieniowania laserowego w usuwaniu warstw wierzchnich, w procesie ablacji laserowej. Druga część referatu poświęcona była metodzie bezpośredniej, laserowej litografii interferencyjnej dla celów modyfikacji powierzchni wszelkich materiałów oraz prezentacji wybranych struktur periodycznych (w skali mikro i sub-mikro) jedno- oraz dwuwymiarowych, wytworzonych w warunkach impulsowego naświetlania powierzchni metali, półprzewodników, polimerów oraz tzw. warstw diamentopodobnych.